مطالعه تئوری خواص الکترونی و مغناطیسی اکسید قلع (sno2) آلایش یافته با عناصر واسطه

thesis
abstract

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga و lda، برای ساختار خالص و از تقریب gga، برای ساختارهای آلاییده، استفاده گردید. با بررسی چگالی حالت های جزئی اکسید قلع مشخص شد که حالت های پیوندی از هیبریداسیون حالت های p2-o و s5-sn و همچنین از هیبریداسیون حالت های p2-o و p5-sn ایجاد می گردند. با بررسی چگالی حالت های جزئی اکسید قلع آلاییده با عناصر واسطه مشخص شد که بیش ترین سهم در چگالی حالت ها در نزدیکی تراز فرمی در نوار ظرفیت و نوار رسانش، مربوط به اوربیتال های d3-tm می باشد. آلایش عناصر مغناطیسی نشان داد که به ازای غلظت 5/12% کبالت و آهن، در حالتی که دو یون مغناطیسی در مجاورت هم قرار گرفته اند، فاز پایدار مغناطیسی، فرومغناطیس و در حالت منگنز، پادفرومغناطیس می باشد. همچنین مشخص شد که به ازای غلظت 5/12% آهن و منگنز، در حالتی که دو یون مغناطیسی نسبت به هم دور هستند، فاز پایدار مغناطیسی پادفرومغناطیس می باشد. در آلایش 25% به ازای هم? عناصر، فاز پایدار مغناطیسی فرومغناطیس می باشد. با بررسی نمودارهای طیف اپتیکی نمونه های sn1-xtmxo2 مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش، شدت اولین قله در نمودارهای جذب افزایش می یابد ولی در مورد قله های بعدی، کاهش می یابد، همچنین با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، پدیده جابه جایی قرمز در نمودارهای جذب اپتیکی مربوط به ساختارهای sn1-xtmxo2 مشاهده شد و به ازای غلظت های بالاتر، بسته به نوع عنصر tm، جابه جایی قرمز یا جابه جایی آبی، مشاهده گردید.

similar resources

رشد و مطالعه خواص sno2 آلایش یافته با عناصر واسطه

در این پایان نامه لایه های نازک اکسید قلع خالص و آلایش یافته با درصدهای مختلف کبالت و آهن بر روی زیرلایه های شیشه و سیلیکون به روش سل-ژل سنتز شدند و تاثیر آلایش آهن و کبالت، دمای بازپخت، ضخامت لایه و نوع زیرلایه روی خواص ساختاری، اپتیکی، مغناطیسی و الکتریکی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. برای مشخصه یابی نمونه ها از اندازه گیری طیف پراش اشعه ایکس، طیف عبور در محدوده 300-1100 نانومتر و ثبت تصاویر...

15 صفحه اول

خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰,۹) آلایش یافته با عناصر واسطه

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...

full text

مطالعه ی آثار آلایش عناصر واسطه بر خواص الکترونی و مغناطیسی ترکیبات نیمرساناهای گروه iii-v

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررس...

15 صفحه اول

بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی نانو نوارهای گرافنی آلایش یافته با اتم آهن

در این مقاله پایداری، خواص الکترونی و مغناطیسی در نانو نوار گرافنی با لبه زیگزاگ شکل( ZGNR ) آلایش یافته با اتم آهن، با استفاده از نظریه تابعی چگالی ( DFT ) بررسی شده است. بر طبق بررسی های انجام شده و با توجه به مقادیر بدست آمده برای انرژی تشکیل و انرژی پیوندی بهترین مکان برای جایگزینی اتم آهن با اتم کربن، در لبه ZGNR و با اتم کربنی به دست آمد که با هیدروژن پیوند دارد. همچنین اگر اتم های آهن جا...

full text

مطالعه نظری خواص الکترونی و مغناطیسی کادمیم تلوراید آلاییده با عناصر واسطه

نظریه تابعی چگالی یکی از روش های مهم برای مطالعه و بررسی سیستم های بس ذره ای است. در این سیستم ها وجود تعداد زیاد ذرات مانع رسیدن به جواب دقیق برای حل معادله شرودینگر سیستم به منظور بدست آوردن ویژه تابع و ویژه مقدار حالت پایه است و به ناچار از تقریب هایی نظیر شیب تعمیم یافته و چگالی موضعی استفاده می شود. در این پایان نامه خواص الکترونی و مغناطیسی کادمیم تلوراید آلایش یافته با عناصر واسطه کروم،...

خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش‌یافته با عناصر واسطه

of 3d transition metals (Sc, Ti, Cr, Mn , Fe, Co, Ni) in both far and close situations were studied based on spin polarised density functional theory using the generalized gradient approximation (LDA) with SIESTA code. The electronic structures show that zigzag (0,9) GaAs nanotubes are non-magnetic semiconductors with direct band gap. It was revealed that doping of 11.11 % Fe and Mn concentrati...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023